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[实用新型]一种适用于海绵城市建设的雨水收集结构-CN201620549572.X有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： E03B3/02 文献下载
摘要：其包括开设于地表的浅层收集区，其特征在于：其还包括深层收集区，深层收集区设置于浅层收集区下方、并通过隔离区与浅层收集区相隔离，隔离区上设有连通浅层收集区和深层收集区的水管。
一种适用于海绵城市建设雨水收集结构

[发明专利]河段水质监测站设置位置的确定方法及装置-CN202010982400.2在审
发明人：李春梅;张良虎 -专利权人：李春梅
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：通过U型网络的进行正卷积以及反卷积，可以基于河段的情况准确的分析出河段中浅层河床的片区，从而实现了对浅层河床的准确确定。进一步的，在浅层河床的片区确定出可设置水质监测站的区域后，通过分析可设置水质监测站的区域、浅层河床的片区以及水质监测站三者的关系，从而确定出能够全面浅层河床的片区处的水质的设置位置，进而通过将该水质监测站设置到该设置位置，便可实现全面且准确的对该浅层河床的片区处的水质进行监测。
河段水质监测站设置位置确定方法装置

[发明专利]一种用三轴压缩试验确定边坡浅层区分析深度的方法-CN201710206862.3在审
发明人：刘龙武 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： G01N3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种用三轴压缩试验确定边坡浅层区分析深度的方法。所述的方法（图1）要求在常规荷载基础上增加浅层区荷载的周围压力进行试验，并据试验结果分别整理得到抗剪强度直线（8）和（9），取两直线交点（12）对应的正应力（13）计算出相应的土层深度即为浅层区分析深度浅层区的抗剪强度指标由抗剪强度直线（9）求取。运用本发明所述的方法提供的边坡浅层区分析深度及抗剪强度进行边坡浅层稳定性分析，能更准确地划分浅层区分析深度，更客观地反映边坡浅层破坏的实际受力和抗剪强度特性，适用于各类边坡浅层区的稳定性分析，尤其适用于分析膨胀土和类似膨胀土的边坡浅层溜坍及滑坡破坏
一种用三轴压缩试验确定边坡浅层区分深度方法

[发明专利]一种浅层天然气成因及来源的综合判识方法及识别系统-CN201911274536.1在审
发明人：高长海;冯建伟;张云银;王兴谋;刘海宁 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G01N30/88 文献下载
摘要：本发明属于油气资源地质勘探技术领域，公开了一种浅层天然气成因及来源的综合判识方法及识别系统，浅层天然气地球化学特征分析，对采集的浅层天然气样品进行测试，分析地球化学特征；浅层天然气成因判识，通过天然气的组分、同位素等特征可有效判识天然气的成因类型；浅层天然气来源判识，对稠油发育区稀油、稠油和天然气的轻烃指纹进行测试，通过对比，判识浅层天然气的来源。本发明能够满足稠油发育区浅层天然气成因及来源的定量判识要求，于研究区应用效果良好，资料易获取，且易于操作，可以推广应用于其它类似浅层稠油发育的地区，从而提高浅层天然气的识别精度及勘探成功率。
一种天然气成因来源综合方法识别系统

[发明专利]一种全自动浅层沉淀水解酸化-好氧生物床-MBR反应器-CN201810958805.5在审
发明人：邱俊;郭若彬;邱进;陈玺茜;来张汇;刘霞;陈艳芳;戴榕;项明智 -专利权人：江西益洁环保技术有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：一种全自动浅层沉淀水解酸化‑好氧生物床‑MBR反应器，所述反应器包括进水调节池、反应区和位于反应区下方的控制区，进水调节池由其内部设有的提升泵经管道连接反应区内的浅层沉淀水解酸化区；所述反应区内从左至右为依次连接的浅层沉淀水解酸化区、好氧生物床、沉淀区、MBR膜区、活性炭区和清水区；浅层沉淀水解酸化区设有进水法兰，沉淀区以及MBR膜区分别通过设有的第一气提污泥回流装置和第二气提污泥回流装置连接至好氧生物床以形成内部循环，清水区上方设有总出水口；反应区与控制区连接并受控制区调控。本发明通过浅层沉淀水解酸化‑好氧生物床‑MBR组合工艺，使反应器的容积负荷大，设备紧凑，占地少，出水水质稳定达标，且反应器全程自动化控制，可做到无人值守。
水解酸化浅层反应器沉淀好氧生物反应区控制区污泥回流装置进水调节池沉淀区清水区气提全程自动化出水水质管道连接活性炭区进水法兰内部循环容积负荷无人值守依次连接总出水口组合工艺生物床提升泵紧凑达标调控

[发明专利]区域分层的软骨细胞层片的制备方法及其用途-CN202210271363.3在审
发明人：田英俊 -专利权人：高雄医学大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C12N5/077 文献下载
摘要：本发明提供一种制备区域分层的软骨细胞层片的方法，该方法包含以下步骤：（a）提供来自对象的软骨样本；（b）从所述软骨样本中分离出软骨细胞，再从所述软骨细胞分离出浅层区软骨细胞、中层区软骨细胞、及深层区软骨细胞；（c）培养所述深层区软骨细胞直至细胞满盘以形成深层区软骨层片；（d）接种所述中层区软骨细胞到所述深层区软骨层片上，并培养所述中层区软骨细胞直至细胞满盘以形成中层区软骨层片；及（e）接种所述浅层区软骨细胞到所述中层区软骨层片上，并培养所述浅层区软骨细胞直至细胞满盘以形成浅层区软骨层片，来获得所述区域分层的软骨细胞层片。
区域分层软骨细胞制备方法及其用途

[发明专利]一种沿海滩涂区拖曳式浅层地震探测方法-CN201910235120.2有效
发明人：岳航羽;张保卫;王凯;王广科;李金丽 -专利权人：中国地质科学院地球物理地球化学勘查研究所
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G01V1/36 文献下载
摘要：受地质勘探设备和潮汐时间的制约，沿海滩涂区地质探测程度低，探测精度不足，常规浅层地震勘探方法虽能有效地探测到沿海滩涂区浅层第四系底界面及内部层位，但其数据采集仪器设备复杂、采集效率低，直接制约着沿海滩涂区地震探测工作本发明公开了一种沿海滩涂区拖曳式浅层地震探测方法，能够有效解决上述困难，充分利用沿海滩涂区地表地势平坦的特征，采用改造的拖曳式地震探测设备采集原始数据，通过高质量的沿海滩涂区浅层地震有效信号提取方法还原滩涂区浅层地下地层结构，为受潮汐影响严重的沿海滩涂区地震探测提供一种新思路，同时为地下地层精细划分提供真实可靠的数据支持。
一种沿海滩涂拖曳式浅层地震探测方法

[发明专利]超结器件的制作方法和超结器件-CN201510096967.9在审
发明人：李理;马万里;赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种超结器件制作方法和超结器件，其中超结器件制作方法包括：在第一导电类型的衬底上形成第一导电类型的外延层，在所述外延层中形成至少一个第二导电类型的深柱区，在所述外延层的表层形成第一导电类型的第一浅层区，在所述外延层的表层形成第二导电类型的第二浅层区层，所述第一浅层区和所述第二浅层区相邻，在所述外延层上形成氧化层。本发明的超结器件制作方法和超结器件通过在氧化层与分压结构之间形成有第二导电类型的离子浅层注入区，提高了分压结构表面的第二导电类型的离子浓度，减小了氧化层中正电荷在表面形成的电子积累形成的电场尖峰，提高了超结器件的击穿电压
器件制作方法

[发明专利]一种海上油田浅层气预测及预钻井方案设计方法-CN202111672510.X有效
发明人：张晶玉;何英明;张显文;马良涛;何荣胜 -专利权人：中国海洋石油集团有限公司;中海油研究总院有限责任公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： E21B47/001 文献下载
摘要：本发明公开了一种海上油田浅层气预测及预钻井方案设计方法，包括：得到气云区分布范围和顶面深度；得到海拔深度500m以上浅层气的若干亮点的分布位置和顶面深度；根据所述气云区分布范围和所述浅层气的若干亮点的分布位置，设计并统计开发井轨迹钻遇气云区和浅层气的深度和坐标；根据所述开发井轨迹钻遇气云区和浅层气的深度和坐标，设计预钻井方案；对所述预钻井方案进行优化。本发明公开的海上油田浅层气预测及预钻井方案设计方法，综合考虑钻遇浅层气数量、位置、方位、深度等多种因素，筛选领眼井、预钻井，设计形成落实浅层气风险的预钻井方案。
一种海上油田浅层气预测钻井方案设计方法

[发明专利]一种确定三维数字露头地质模型的方法及系统-CN201611251311.0有效
发明人：乔占峰;沈安江;郑剑锋;常少英;王小芳;陈娅娜;张友;潘立银;李昌 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G01V11/00 文献下载
摘要：所述包括：获取目的露头的地形特征信息，将目的露头划分为至少一个直立区露头、至少一个平躺区露头，以及地表浅层露头；确定目的露头的地质信息；分别确定直立区露头的空间定位数据、平躺区露头的空间定位数据和地表浅层露头的空间定位数据；分别确定直立区露头的三维数据体、平躺区露头的三维数据体和地表浅层露头的三维数据体；基于目的露头的地质信息、直立区露头的三维数据体、平躺区露头的三维数据体和地表浅层露头的三维数据体，确定目的露头的三维数字露头地质模型
三维数据体地表浅层地质模型直立平躺空间定位三维地质信息地形特征申请

[实用新型]果町GOODTIN智能果鲜机-CN202220450733.5有效
发明人：赵宁宁;徐一心;江乐妍;万芊;于铂音 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： B65D81/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了果町GOODTIN智能果鲜机，包括果鲜机单元，所述果鲜机单元包括机塞、机盖、切板、浅层储存区、沥水板、深层储存区、硅胶套和机箱，所述深层储存区设置于所述机箱内部，且所述硅胶套套装在所述深层储存区下方，所述沥水板放置于所述深层储存区内部且与其内壁卡合悬空配合，所述浅层储存区设置于所述沥水板上方且位于所述深层储存区内部，所述切板放置于所述浅层储存区上方，所述机盖与所述机箱卡合配合且将切板、浅层储存区、沥水板、深层储存区和硅胶套盖合放入机箱内部，所述机塞设置于所述机盖上方中部，并与所述机盖卡合配合，能够很好保存鲜果，便于携带清洗，方便日常使用，占地小。
果町 goodtin 智能果鲜机

[实用新型]一种全自动反应器-CN201821354144.7有效
发明人：邱俊;郭若彬;邱进;陈玺茜;来张汇;刘霞;陈艳芳;戴榕;项明智 -专利权人：江西益洁环保技术有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：一种全自动反应器，所述反应器包括进水调节池、反应区和位于反应区下方的控制区，进水调节池由其内部设有的提升泵经管道连接反应区内的浅层沉淀水解酸化区；所述反应区内从左至右为依次连接的浅层沉淀水解酸化区、好氧生物床、沉淀区、MBR膜区、活性炭区和清水区；浅层沉淀水解酸化区设有进水法兰，沉淀区以及MBR膜区分别通过设有的第一气提污泥回流装置和第二气提污泥回流装置连接至好氧生物床以形成内部循环，清水区上方设有总出水口；反应区与控制区连接并受控制区调控。本实用新型通过浅层沉淀水解酸化‑好氧生物床‑MBR组合工艺，使反应器的容积负荷大，设备紧凑，占地少，出水水质稳定达标，且反应器全程自动化控制，可做到无人值守。
水解酸化浅层沉淀反应器反应区控制区全自动反应器污泥回流装置进水调节池好氧生物沉淀区清水区气提本实用新型全程自动化出水水质管道连接活性炭区进水法兰内部循环容积负荷无人值守依次连接总出水口组合工艺生物床提升泵紧凑达标调控

[发明专利]运营地铁两侧不同深度基坑群土方开挖方法-CN202110024913.7在审
发明人：高丙山;王宝德;周志健;黄军华;张麒;赵子余;余朋;于青锋;张玉卫 -专利权人：中国建筑第八工程局有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： E02D17/02 文献下载
摘要：本发明的运营地铁两侧不同深度基坑群土方开挖方法，地铁两侧分别设有深基坑和浅基坑，包括如下步骤：以所述浅基坑的底标高为深浅分界线，将所述深基坑分为高于所述深浅分界线以上的浅层区以及低于所述深浅分界线以下的深层区；对所述浅基坑以及所述深基坑的浅层区进行土方开挖，对所述浅基坑和所述深基坑的浅层区的土方进行水平分块，由远离所述地铁向靠近所述地铁的方向进行逐块、分层、相对开挖；对所述深基坑的深层区进行土方开挖，对所述深层区以所述浅层区为基准进行水平分块
运营地铁两侧不同深度基坑土方开挖方法

[发明专利]一种功率缓冲二极管芯片结构及其制作方法-CN201711115543.8在审
发明人：张少锋;周仲建 -专利权人：成都方舟微电子有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率缓冲二极管芯片结构及其制作方法，该结构包括从下至上依次层叠的下金属层、衬底和外延层，外延层上形成有深扩散区域，深扩散区域上形成有阱区，所述阱区上形成有浅层扩散区域，阱区上形成有沟道电阻区域，沟道电阻区域与深扩散区域和浅层扩散区域相连，外延层、阱区的导电类型与衬底的导电类型相同，浅层扩散区域、深扩散区域的导电类型与衬底的导电类型相反；浅层扩散区域上设置有功率缓冲二极管的另一电极，浅层扩散区域与电阻区域的连接部上设置有介质层，深扩散区域和阱区的连接部上设置有金属。
一种功率缓冲二极管芯片结构及其制作方法

[发明专利]具快速切换能力的沟渠式功率金氧半导体结构及制造方法-CN201110104067.6有效
发明人：张渊舜;涂高维 -专利权人：科轩微电子股份有限公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种具快速切换能力的沟渠式功率金氧半导体结构及制造方法，其中该方法包括以下步骤：先形成一第一导电型的一外延层于一基板上，接下来，形成多个栅极结构于该外延层内；形成具有该第一导电型的一浅层掺杂区于该外延层的表面，随后，形成一遮蔽结构于该浅层掺杂区上；接下来，利用该遮蔽结构形成具有一第二导电型的多个阱区于该外延层内，随后，形成具有该第一导电型的一源极掺杂区于阱区的表面；其中，该浅层掺杂区的掺杂浓度小于该源极掺杂区的掺杂浓度与该阱区的掺杂浓度，且该浅层掺杂区的掺杂浓度大于该外延层的掺杂浓度。
快速切换能力沟渠功率半导体结构制造方法

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